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逻辑芯片和存储芯片有哪些区别?

2020-10-28 15:06:43   责任编辑:     0

    逻辑芯片还有另外一个名字叫“可编程逻辑器件”(英语:ProgrammableLogicDevice,缩写为PLD)是一种电子零件、电子组件,简而言之也是一种集成电路、芯片。PLD芯片属于数字类型的电路芯片,而非模拟或混合信号(同时具有数字电路与模拟电路)芯片。



    逻辑芯片又叫可编程逻辑器件,英文PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。


    存储芯片,是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此,无论是系统芯片还是存储芯片,都是通过在单一芯片中嵌入软件,实现多功能和高性能,以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。


    逻辑芯片和存储芯片的区别


    逻辑芯片的工艺目前还在20nm左右,比如Intel的CPU,而存储芯片都已逼近10nm,比如闪存,到底2者有何不同?


    1)差异:两种芯片工艺的不同主要是由两种芯片的核心部件-晶体管的结构/工作模式的差异造成,可参考半导体器件相关的书籍和论文。


    2)尺寸:从gatelength这个指标来看,你说的没错,2DNANDFlash的uncontactedpoly的halfpitch目前已经优于14/16nmFINFET的Lg。根据ITRS2015数据,前者为15nm,后者为24nm。


    3)命名:但需要说明的是,半导体工业界对逻辑产品(MPU/ASIC)和非挥发存储器(Flash)的工艺节点(technologynode)的命名是不同的。在相当长1段时间内,前者用的是contactedmetalline的halfpitch,后者用的是uncontactedpoly(floatinggate)的halfpitch。前者的physicalLg实际上比节点数字更小,而后者中的SL/BL的Lg比节点数字更大。


    4)新结构:然而3)中的定义方式随着近几年新型器件的步入市场也发生了变化,如FINFET和3DNAND。以2)中所举例的14/16nmFINFET工艺为例,其contactedmetalline的halfpitch为2⑧nm,而非标称的14/16nm。而3DNAND的节点命名已改为minimumarrayhalfpitch,约为⑧0nm。


    5)估算:由于标称节点数字与实际工艺参数之间的差异,以及各家公司的命名也存在差异,易造成混乱,于是ASML给出了1个估算式,可以根据各家公司的实际工艺参数推算出1个与标称节点数字相近的数字,目前为业界所普遍采用。


    6)先进度:目前,两种芯片的结构存在较大差异,且各自有各自的评价方式,所以并不好说谁的工艺技术更先进,只能说分别在自己的道路上追求更加极致的性能。


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